NTMFD001N03P9
Número de pieza:
NTMFD001N03P9
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
onsemi
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3V @ 1mA
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Configuración 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- Paquete / Carcasa 8-PowerWDFN
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-PQFN (5x6)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 11A (Ta), 57A (Tc), 25A (Ta), 165A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 5mOhm @ 17A, 10V, 1mOhm @ 40A, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 7.9nC @ 4.5V, 43nC @ 4.5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1224pF @ 15V, 6575pF @ 15V
- Potencia - Máx 960mW (Ta), 25W (Tc), 1.04W (Ta), 41W (Tc)