NTMFD1D4N02P1E
Número de pieza:
NTMFD1D4N02P1E
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
onsemi
Descripción:
MOSFET 2N-CH 25V 13A 8PQFN
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 25V
- Configuración 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- Paquete / Carcasa 8-PowerWDFN
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-PQFN (5x6)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 13A (Ta), 74A (Tc), 24A (Ta), 155A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 20A, 10V, 1.1mOhm @ 37A, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2V @ 250µA, 2V @ 800µA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 7.2nC @ 4.5V, 21.5nC @ 4.5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1180pF @ 13V, 3603pF @ 13V
- Potencia - Máx 960mW (Ta), 1W (Ta)