NTMFD4C820NAT1G
Número de pieza:
NTMFD4C820NAT1G
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
onsemi
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A 8DFN
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.1V @ 250µA
- Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 9.1A (Ta), 13.7A (Ta)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 7.3mOhm @ 10A, 10V, 3.4mOhm @ 20A, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 19nC @ 10V, 29nC @ 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 970pF @ 15V, 1950pF @ 15V
- Potencia - Máx 1.09W (Ta), 1.15W (Ta)