NTMFD6H852NLT1G
Número de pieza:
NTMFD6H852NLT1G
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
onsemi
Descripción:
MOSFET 2N-CH 80V 0.295A 8DFN
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA
- Tecnología -
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 5nC @ 4.5V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 80V
- Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 295mA
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 26pF @ 20V
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
- Potencia - Máx 250mW (Ta)