NTMJST2D6N08HTXG

NTMJST2D6N08HTXG

Número de pieza: NTMJST2D6N08HTXG
Clasificación de productos: FETs individuales, MOSFETs
Fabricante: onsemi
Descripción: TRENCH 8 80V LFPAK 5X7
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tipo de FET N-Channel
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 250µA
  • Vgs (Máx.) ±20V
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Grado -
  • Calificación -
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 68 nC @ 10 V
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 80 V
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 50A, 10V
  • Proveedor Dispositivo Paquete 10-TCPAK
  • Paquete / Carcasa 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 28A (Ta), 131.5A (Tc)
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 4405 pF @ 40 V
  • Disipación de Potencia (Máx.) 5.3W (Ta), 116W (Tc)