NTMYS006N08LHTWG

NTMYS006N08LHTWG

Número de pieza: NTMYS006N08LHTWG
Clasificación de productos: FETs individuales, MOSFETs
Fabricante: onsemi
Descripción: T8 80V LL LFPAK
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tipo de FET N-Channel
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • Vgs (Máx.) ±20V
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Grado -
  • Calificación -
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 34 nC @ 10 V
  • Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 80 V
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 6.2mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2V @ 95µA
  • Paquete / Carcasa SOT-1023, 4-LFPAK
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1950 pF @ 40 V
  • Proveedor Dispositivo Paquete LFPAK4 (5x6)
  • Disipación de Potencia (Máx.) 3.7W (Ta), 89W (Tc)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 16A (Ta), 77A (Tc)