NTTFD1D8N02P1E
Número de pieza:
NTTFD1D8N02P1E
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
onsemi
Descripción:
MOSFET, POWER, 25V DUAL N-CHANNE
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 25V
- Configuración 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- Paquete / Carcasa 8-PowerWDFN
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-PQFN (3.3x3.3)
- Potencia - Máx 800mW (Ta), 900mW (Ta)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 11A (Ta), 21A (Ta)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 15A, 10V, 1.4mOhm @ 29A, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2V @ 190µA, 2V @ 310µA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 5.5nC @ 4.5V, 17nC @ 4.5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 873pF @ 15V, 2700pF @ 15V