NTTFD4D1N03P1E
Número de pieza:
NTTFD4D1N03P1E
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
onsemi
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 12A 12WQFN
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Paquete / Carcasa 12-PowerWQFN
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 12A (Ta), 54A (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete 12-WQFN (3.3x3.3)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 10A, 10V, 3.5mOhm @ 10A, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.2V @ 270µA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 15nC @ 10V, 14nC @ 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1103pF @ 15V, 972pF @ 15V
- Potencia - Máx 1W (Ta), 20W (Tc)