NTTFS007P02P8
Número de pieza:
NTTFS007P02P8
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
onsemi
Descripción:
POWER MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL,
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Discontinued at
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de FET P-Channel
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1V @ 250µA
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20 V
- Vgs (Máx.) ±8V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 1.8V, 4.5V
- Paquete / Carcasa 8-PowerWDFN
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 14A (Ta), 56A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 14A, 4.5V
- Disipación de Potencia (Máx.) 2.3W (Ta), 30W (Tc)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 61 nC @ 4.5 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 7435 pF @ 10 V
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-PQFN (3.3x3.3)