NVBG050N170M1
Número de pieza:
NVBG050N170M1
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
onsemi
Descripción:
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Paquete / Carcasa TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 50A (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete D2PAK-7
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 20V
- Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1700 V
- Vgs (Máx.) +25V, -15V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.3V @ 10mA
- Disipación de Potencia (Máx.) 385W (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 76mOhm @ 35A, 20V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 107 nC @ 20 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2078 pF @ 1000 V