NVBG190N65S3F
Número de pieza:
NVBG190N65S3F
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
onsemi
Descripción:
SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET SU
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Discontinued at
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Paquete / Carcasa TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 20A (Tc)
- Vgs (Máx.) ±30V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 36 nC @ 10 V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 650 V
- Proveedor Dispositivo Paquete D2PAK-7
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 190mOhm @ 10A, 10V
- Disipación de Potencia (Máx.) 162W (Tc)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 5V @ 430µA
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1710 pF @ 400 V