NVC160N120SC1
Número de pieza:
NVC160N120SC1
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
onsemi
Descripción:
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Discontinued at
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 17A (Tc)
- Paquete / Carcasa Die
- Proveedor Dispositivo Paquete Die
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200 V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 20V
- Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
- Disipación de Potencia (Máx.) 119W (Tc)
- Vgs (Máx.) +25V, -15V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 224mOhm @ 12A, 20V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.3V @ 2.5mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 34 nC @ 20 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 665 pF @ 800 V