NVHL1000N170M1
Número de pieza:
NVHL1000N170M1
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
onsemi
Descripción:
SIC 1700V MOS 1O IN TO247-3L
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Paquete / Carcasa TO-247-3
- Disipación de Potencia (Máx.) 48W (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-247-3
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 4.2A (Tc)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 20V
- Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1700 V
- Vgs (Máx.) +25V, -15V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 14 nC @ 20 V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 1.43Ohm @ 2A, 20V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.3V @ 640µA
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 150 pF @ 1000 V