NVMD6P02R2G
Número de pieza:
NVMD6P02R2G
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
onsemi
Descripción:
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Paquete / Carcasa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Temperatura de Operación -
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-SOIC
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20V
- FET Característica Logic Level Gate
- Configuración 2 P-Channel (Dual)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.2V @ 250µA
- Potencia - Máx 750mW
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 4.8A
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 33mOhm @ 6.2A, 4.5V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 35nC @ 4.5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1700pF @ 16V