NVMFD6H846NLT1G
Número de pieza:
NVMFD6H846NLT1G
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
onsemi
Descripción:
MOSFET 2N-CH 80V 9.4A 8DFN
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 80V
- Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 17nC @ 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2V @ 21µA
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 15mOhm @ 5A, 10V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 9.4A (Ta), 31A (Tc)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 900pF @ 40V
- Potencia - Máx 3.2W (Ta), 34W (Tc)