NVMFWS024N06CT1G

NVMFWS024N06CT1G

Número de pieza: NVMFWS024N06CT1G
Clasificación de productos: FETs individuales, MOSFETs
Fabricante: onsemi
Descripción: T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLI
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tipo de FET N-Channel
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
  • Vgs (Máx.) ±20V
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Grado Automotive
  • Calificación AEC-Q101
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60 V
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 5.7 nC @ 10 V
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 20µA
  • Proveedor Dispositivo Paquete 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN, 5 Leads
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 22mOhm @ 3A, 10V
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 8A (Ta), 25A (Tc)
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 333 pF @ 30 V
  • Disipación de Potencia (Máx.) 3.4W (Ta), 28W (Tc)