NVMFWS0D6N04XMT1G
Número de pieza:
NVMFWS0D6N04XMT1G
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
onsemi
Descripción:
SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Disipación de Potencia (Máx.) 150W (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 40 V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 87 nC @ 10 V
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-DFN (5x6)
- Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.5V @ 210µA
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 380A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 0.57mOhm @ 30A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 5543 pF @ 25 V