NVMFWS2D3N04XMT1G
Número de pieza:
NVMFWS2D3N04XMT1G
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
onsemi
Descripción:
40V T10M IN S08FL PACKAGE
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Disipación de Potencia (Máx.) 63W (Tc)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1417 pF @ 25 V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 40 V
- Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN, 5 Leads
- Tipo de Montaje Surface Mount, Wettable Flank
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.5V @ 60µA
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 2.35mOhm @ 20A, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 22.2 nC @ 10 V
- Proveedor Dispositivo Paquete 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 29A (Ta), 121A (Tc)