NVNJWS0K9N10MCLTAG
Número de pieza:
NVNJWS0K9N10MCLTAG
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
onsemi
Descripción:
MOSFET - POWER, N-CHANNEL WITH E
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Discontinued at
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100 V
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Paquete / Carcasa 3-XFDFN
- Tipo de Montaje Surface Mount, Wettable Flank
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 0.9 nC @ 10 V
- Proveedor Dispositivo Paquete 3-XDFNW (1x1)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 850mA (Ta), 1.33A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 1.17Ohm @ 370mA, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3V @ 2µA
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 31 pF @ 50 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 1.91W (Ta), 4.66W (Tc)