NVNJWS1K6N061LTAG
Número de pieza:
NVNJWS1K6N061LTAG
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
onsemi
Descripción:
MOSFET - POWER, N-CHANNEL WITH E
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Discontinued at
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60 V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Paquete / Carcasa 3-XFDFN
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V
- Tipo de Montaje Surface Mount, Wettable Flank
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 0.9 nC @ 4.5 V
- Proveedor Dispositivo Paquete 3-XDFNW (1x1)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 632mA (Ta), 853mA (Tc)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 26 pF @ 20 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 1.437W (Ta), 2.617W (Tc)