NVNJWS200N031LTAG
Número de pieza:
NVNJWS200N031LTAG
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
onsemi
Descripción:
MOSFET - POWER, N-CHANNEL WITH E
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Discontinued at
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.5V @ 250µA
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30 V
- Vgs (Máx.) ±8V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 3V, 4.5V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1.5A, 4.5V
- Paquete / Carcasa 3-XFDFN
- Tipo de Montaje Surface Mount, Wettable Flank
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 1.4 nC @ 4.5 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 89 pF @ 15 V
- Proveedor Dispositivo Paquete 3-XDFNW (1x1)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 2.2A (Ta), 3.3A (Tc)
- Disipación de Potencia (Máx.) 1.8W (Ta), 4.1W (Tc)