NVNJWS5K0P061LTAG
Número de pieza:
NVNJWS5K0P061LTAG
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
onsemi
Descripción:
MOSFET - POWER, P-CHANNEL WITH E
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Discontinued at
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Tipo de FET P-Channel
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60 V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3V @ 250µA
- Paquete / Carcasa 3-XFDFN
- Tipo de Montaje Surface Mount, Wettable Flank
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 5Ohm @ 100mA, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 29 pF @ 25 V
- Proveedor Dispositivo Paquete 3-XDFNW (1x1)
- Disipación de Potencia (Máx.) 1.437W (Ta), 2.617W (Tc)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 357A (Ta), 482A (Tc)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 1 nC @ 25 V