NVXK2KR80WDT
Número de pieza:
NVXK2KR80WDT
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
onsemi
Descripción:
ELITESIC POWER MODULE FOR OBC, 8
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Discontinued at
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 20A (Tc)
- Disipación de Potencia (Máx.) 82W (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200 V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 20V
- Tecnología SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 56 nC @ 20 V
- Vgs (Máx.) +25V, -15V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1154 pF @ 800 V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.3V @ 10mA
- Paquete / Carcasa 32-PowerDIP Module (1.311", 33.30mm)
- Proveedor Dispositivo Paquete APM32
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 116mOhm @ 20A, 20V