NVXK2TR40WXT
Número de pieza:
NVXK2TR40WXT
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
onsemi
Descripción:
MOSFET 4N-CH 1200V 27A APM32
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 27A (Tc)
- Tecnología Silicon Carbide (SiC)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.3V @ 10mA
- Potencia - Máx 319W (Tc)
- Configuración 4 N-Channel (Half Bridge)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 59mOhm @ 35A, 20V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 106nC @ 20V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1789pF @ 800V
- Paquete / Carcasa 32-PowerDIP Module (1.311", 33.30mm)
- Proveedor Dispositivo Paquete APM32