NXH008T120M3F2PTHG
Número de pieza:
NXH008T120M3F2PTHG
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
onsemi
Descripción:
MOSFET 4N-CH 1200V 129A 29PIM
Embalaje:
Tray
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Paquete / Carcasa Module
- Temperatura de Operación -40°C ~ 175°C (TJ)
- Tecnología Silicon Carbide (SiC)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 129A (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Configuración 4 N-Channel
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 454nC @ 20V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 11.5mOhm @ 100A, 18V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.4V @ 60mA
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 9129pF @ 800V
- Potencia - Máx 371W (Tj)
- Proveedor Dispositivo Paquete 29-PIM (56.7x42.5)