NXH020F120MNF1PTG
Número de pieza:
NXH020F120MNF1PTG
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
onsemi
Descripción:
MOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIM
Embalaje:
Tray
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- FET Característica -
- Paquete / Carcasa Module
- Temperatura de Operación -40°C ~ 175°C (TJ)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 51A (Tc)
- Configuración 4 N-Channel (Full Bridge)
- Tecnología Silicon Carbide (SiC)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.3V @ 20mA
- Proveedor Dispositivo Paquete 22-PIM (33.8x42.5)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 30mOhm @ 50A, 20V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 213.5nC @ 20V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2420pF @ 800V
- Potencia - Máx 119W (Tj)