NXH040F120MNF1PTG
Número de pieza:
NXH040F120MNF1PTG
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
onsemi
Descripción:
MOSFET 4N-CH 1200V 30A 22PIM
Embalaje:
Tray
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- FET Característica -
- Paquete / Carcasa Module
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 30A (Tc)
- Temperatura de Operación -40°C ~ 175°C (TJ)
- Tecnología Silicon Carbide (SiC)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Configuración 4 N-Channel
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.3V @ 10mA
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 56mOhm @ 25A, 20V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 122.1nC @ 20V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1505pF @ 800V
- Potencia - Máx 74W (Tj)
- Proveedor Dispositivo Paquete 22-PIM (33.8x42.5)