NXV08A170DB2

NXV08A170DB2

Número de pieza: NXV08A170DB2
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: onsemi
Descripción: MOSFET 2N-CH 80V 200A APM12-CBA
Embalaje: Tray
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Tipo de Montaje Through Hole
  • Estado de la Pieza Active
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 250µA
  • FET Característica -
  • Grado Automotive
  • Calificación AEC-Q100
  • Potencia - Máx -
  • Temperatura de Operación 175°C (TJ)
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 80V
  • Configuración 2 N-Channel (Half Bridge)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 200A (Tj)
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 0.99mOhm @ 80A, 10V, 1.35mOhm @ 80A, 10V
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 195nC @ 10V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 14000pF @ 40V
  • Paquete / Carcasa 12-PowerDIP Module (1.118", 28.40mm)
  • Proveedor Dispositivo Paquete APM12-CBA