NXV08H250DT1

NXV08H250DT1

Número de pieza: NXV08H250DT1
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: onsemi
Descripción: MOSFET 4N-CH 80V APM17-MDC
Embalaje: Tube
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Tipo de Montaje Through Hole
  • Estado de la Pieza Active
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Característica -
  • Grado Automotive
  • Calificación AEC-Q101
  • Potencia - Máx -
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C -
  • Temperatura de Operación 175°C (TJ)
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 80V
  • Configuración 4 N-Channel
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.6V @ 1mA
  • Paquete / Carcasa 17-PowerDIP Module (1.390", 35.30mm)
  • Proveedor Dispositivo Paquete APM17-MDC
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 320nC @ 10V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 24350pF @ 40V
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 1.039mOhm @ 160A, 12V, 762µOhm @ 160A, 12V