NXV08H400XT2
Número de pieza:
NXV08H400XT2
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
onsemi
Descripción:
MOSFET 4N-CH 80V APM17-MDA
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Potencia - Máx -
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C -
- Temperatura de Operación 175°C (TJ)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 80V
- Configuración 4 N-Channel
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.6V @ 1mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 502nC @ 12V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 30150pF @ 40V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 0.765mOhm @ 160A, 12V, 0.710mOhm @ 160A, 12V
- Paquete / Carcasa 17-PowerDIP Module (1.778", 45.15mm)
- Proveedor Dispositivo Paquete APM17-MDA