NXV10V125DT1
Número de pieza:
NXV10V125DT1
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
onsemi
Descripción:
MOSFET
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Potencia - Máx -
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C -
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.5V @ 250µA
- Temperatura de Operación 175°C (TJ)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 101nC @ 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 6970pF @ 50V
- Paquete / Carcasa 21-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm)
- Proveedor Dispositivo Paquete APM21-CGA
- Configuración 6 N-Channel (Three Phase Inverter)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 80A, 12V