NXV10V160ST1

NXV10V160ST1

Número de pieza: NXV10V160ST1
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: onsemi
Descripción: MOSFET 6N-CH 100V APM21-CGA
Embalaje: Tube
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Tipo de Montaje Through Hole
  • Estado de la Pieza Active
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Característica -
  • Grado -
  • Calificación -
  • Potencia - Máx -
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C -
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.5V @ 250µA
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs -
  • Temperatura de Operación 175°C (TJ)
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100V
  • Configuración 6 N-Channel
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 101nC @ 10V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 6970pF @ 50V
  • Paquete / Carcasa 21-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm)
  • Proveedor Dispositivo Paquete APM21-CGA