NXVF6532M3TG01

NXVF6532M3TG01

Número de pieza: NXVF6532M3TG01
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: onsemi
Descripción: SIC POWER MOSFET MODULE 650V, 32
Embalaje: Tube
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Tipo de Montaje Through Hole
  • Estado de la Pieza Active
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Grado -
  • Calificación -
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 31A (Tc)
  • Configuración 4 N-Channel (Full Bridge)
  • Tecnología Silicon Carbide (SiC)
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 650V
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 44mOhm @ 15A, 18V
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 7.5mA
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 58nC @ 18V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1215pF @ 400V
  • Potencia - Máx 65.2W (Tj)
  • Paquete / Carcasa 13-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
  • Proveedor Dispositivo Paquete APM16