PHKD3NQ10T,518
Número de pieza:
PHKD3NQ10T,518
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descripción:
MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SO
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Paquete / Carcasa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-SO
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -65°C ~ 150°C (TJ)
- Potencia - Máx 2W
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- FET Característica Logic Level Gate
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 3A
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 1mA
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 21nC @ 10V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 90mOhm @ 1.5A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 633pF @ 20V