PJB100N04S-AU_R2_002A1

PJB100N04S-AU_R2_002A1

Número de pieza: PJB100N04S-AU_R2_002A1
Clasificación de productos: FETs individuales, MOSFETs
Fabricante: Panjit International Inc.
Descripción: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tipo de FET N-Channel
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • Vgs (Máx.) ±20V
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Grado Automotive
  • Calificación AEC-Q101
  • Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
  • Paquete / Carcasa TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 40 V
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.3V @ 50µA
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 100 nC @ 10 V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 6500 pF @ 25 V
  • Proveedor Dispositivo Paquete TO-263AB
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 31A (Ta), 100A (Tc)
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 90A, 10V
  • Disipación de Potencia (Máx.) 3.8W (Ta), 250W (Tc)