PJMD190N65FR2_L2_00601

PJMD190N65FR2_L2_00601

Número de pieza: PJMD190N65FR2_L2_00601
Clasificación de productos: FETs individuales, MOSFETs
Fabricante: Panjit International Inc.
Descripción: 650V/ 180M / FAST RECOVERY QRR/
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tipo de FET N-Channel
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
  • Vgs (Máx.) ±20V
  • FET Característica -
  • Grado -
  • Calificación -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paquete / Carcasa TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
  • Proveedor Dispositivo Paquete TO-252AA
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 700 V
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.7V @ 250µA
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 19.7A (Tc)
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 180mOhm @ 7A, 10V
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 34.3 nC @ 10 V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1492 pF @ 400 V
  • Disipación de Potencia (Máx.) 168.8W (Tc)