PJMF080N65FR2_T0_00601

PJMF080N65FR2_T0_00601

Número de pieza: PJMF080N65FR2_T0_00601
Clasificación de productos: FETs individuales, MOSFETs
Fabricante: Panjit International Inc.
Descripción: 650V/ 75M / FAST RECOVERY QRR/T
Embalaje: Tube
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Tipo de Montaje Through Hole
  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de FET N-Channel
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
  • FET Característica -
  • Grado -
  • Calificación -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paquete / Carcasa TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
  • Vgs (Máx.) ±30V
  • Disipación de Potencia (Máx.) 156W (Tc)
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 75mOhm @ 17A, 10V
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 700 V
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.7V @ 250µA
  • Proveedor Dispositivo Paquete ITO-220AB-F
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 78.5 nC @ 10 V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 3507 pF @ 400 V
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 29.2A (Tc)