PJQ5606_R2_00001

PJQ5606_R2_00001

Número de pieza: PJQ5606_R2_00001
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: Panjit International Inc.
Descripción: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8DFN
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
  • Configuración N and P-Channel Complementary
  • Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
  • Potencia - Máx 1.7W (Ta), 21W (Tc)
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 4.8nC @ 4.5V, 7.8nC @ 4.5V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 429pF @ 25V, 846pF @ 15V
  • Proveedor Dispositivo Paquete DFN5060B-8
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 19mOhm @ 8A, 10V, 30mOhm @ 4A, 10V
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 7A (Ta), 25A (Tc), 6.1A (Ta), 22A (Tc)