PJQ5839E-AU_R2_002A1

PJQ5839E-AU_R2_002A1

Número de pieza: PJQ5839E-AU_R2_002A1
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: Panjit International Inc.
Descripción: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8DFN
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Grado Automotive
  • Calificación AEC-Q101
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Configuración 2 P-Channel (Dual)
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
  • Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 22nC @ 10V
  • Proveedor Dispositivo Paquete DFN5060B-8
  • Potencia - Máx 2.5W (Ta), 30W (Tc)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 9A (Ta), 31A (Tc)
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 19.1mOhm @ 10A, 10V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1012pF @ 25V