PMCXB900UEZ
Número de pieza:
PMCXB900UEZ
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
NXP Semiconductors
Descripción:
MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20V
- FET Característica Logic Level Gate
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 950mV @ 250µA
- Configuración N and P-Channel Complementary
- Paquete / Carcasa 6-XFDFN Exposed Pad
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V
- Potencia - Máx 265mW
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 600mA, 500mA
- Proveedor Dispositivo Paquete DFN1010B-6
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 620mOhm @ 600mA, 4.5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 21.3pF @ 10V