PMDPB30XNZ
Número de pieza:
PMDPB30XNZ
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20V
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs -
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 4A (Ta)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 900mV @ 250µA
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 40mOhm @ 3A, 4.5V
- Paquete / Carcasa 6-UFDFN Exposed Pad
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 660pF @ 10V
- Proveedor Dispositivo Paquete 6-HUSON (2x2)
- Potencia - Máx 490mW (Ta), 8.33W (Tc)