PMDPB65UP,115
Número de pieza:
PMDPB65UP,115
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
NXP USA Inc.
Descripción:
MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 6HUSON
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación 150°C (TJ)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1V @ 250µA
- FET Característica Logic Level Gate
- Configuración 2 P-Channel (Dual)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 3.5A
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 6nC @ 4.5V
- Paquete / Carcasa 6-UDFN Exposed Pad
- Potencia - Máx 520mW
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 70mOhm @ 1A, 4.5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 380pF @ 10V
- Proveedor Dispositivo Paquete 6-HUSON (2x2)