PMDPB85UPE,115
Número de pieza:
PMDPB85UPE,115
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descripción:
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6HUSON
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20V
- FET Característica Logic Level Gate
- Configuración 2 P-Channel (Dual)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 2.9A
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 950mV @ 250µA
- Paquete / Carcasa 6-UFDFN Exposed Pad
- Proveedor Dispositivo Paquete 6-HUSON (2x2)
- Potencia - Máx 515mW
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 103mOhm @ 1.3A, 4.5V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 8.1nC @ 4.5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 514pF @ 10V