PMDPB95XNE2115
Número de pieza:
PMDPB95XNE2115
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
NXP USA Inc.
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 2.7A 6HUSON
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 2.7A (Ta)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.25V @ 250µA
- Paquete / Carcasa 6-UDFN Exposed Pad
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 4.5nC @ 4.5V
- Proveedor Dispositivo Paquete 6-HUSON (2x2)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 99mOhm @ 2.8A, 4.5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 258pF @ 15V
- Potencia - Máx 510mW (Ta), 8.33W (Tc)