PMDT290UNEH
Número de pieza:
PMDT290UNEH
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 800mA (Ta)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20V
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 950mV @ 250µA
- Paquete / Carcasa SOT-563, SOT-666
- Proveedor Dispositivo Paquete SOT-666
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 83pF @ 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 0.68nC @ 4.5V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 380mOhm @ 500mA, 4.5V
- Potencia - Máx 330mW (Ta), 1.09W (Tc)