PMDXB550UNEZ
Número de pieza:
PMDXB550UNEZ
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 950mV @ 250µA
- Paquete / Carcasa 6-XFDFN Exposed Pad
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 590mA
- Proveedor Dispositivo Paquete DFN1010B-6
- Potencia - Máx 285mW
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 670mOhm @ 590mA, 4.5V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 1.05nC @ 4.5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 30.3pF @ 15V