PMGD130UN,115

PMGD130UN,115

Número de pieza: PMGD130UN,115
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: NXP USA Inc.
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOP
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Obsolete
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 20V
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1V @ 250µA
  • Configuración 2 N-Channel (Dual)
  • FET Característica Logic Level Gate
  • Paquete / Carcasa 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Proveedor Dispositivo Paquete 6-TSSOP
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 83pF @ 10V
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 1.2A
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 145mOhm @ 1.2A, 4.5V
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 1.3nC @ 4.5V
  • Potencia - Máx 390mW