PMGD175XN,115
Número de pieza:
PMGD175XN,115
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
NXP USA Inc.
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.5V @ 250µA
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- FET Característica Logic Level Gate
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Paquete / Carcasa 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Proveedor Dispositivo Paquete 6-TSSOP
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 1.1nC @ 4.5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 75pF @ 15V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 225mOhm @ 1A, 4.5V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 900mA
- Potencia - Máx 390mW