PSMN1R0-100ASEJ
Número de pieza:
PSMN1R0-100ASEJ
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descripción:
PSMN1R0-100ASE/SOT8000A/CCPAK1
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100 V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.6V @ 1mA
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 430A (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete CCPAK1212
- Paquete / Carcasa 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 1.04mOhm @ 25A, 10V
- Disipación de Potencia (Máx.) 1.55kW (Tc)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 509 nC @ 10 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 36460 pF @ 50 V