PSMN1R3-100ASFJ
Número de pieza:
PSMN1R3-100ASFJ
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descripción:
NEXTPOWER 100 V, 1.3 MOHM, N-CHA
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100 V
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 7V, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 1mA
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 1.3mOhm @ 25A, 10V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 400A (Ta)
- Proveedor Dispositivo Paquete CCPAK1212
- Paquete / Carcasa 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 248 nC @ 10 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 17737 pF @ 50 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 1.071kW (Tc)